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        基礎(chǔ)信息Product information
        產(chǎn)品名稱:

        儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/電壓擊穿

        產(chǎn)品型號(hào):華測(cè)系列

        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

        所在地:北京市

        更新日期:2025-12-16

        產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

        儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/電壓擊穿,可測(cè)電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng)),高低頻介電頻譜、溫譜,高溫絕緣電阻,熱釋電測(cè)試,TSDC熱刺激極化電流,充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試,電聲脈沖法空間電荷測(cè)量,靜電電壓等

        產(chǎn)品特性Product characteristics
        品牌華測(cè)

        儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)

        隨著能源需求的不斷增加以及對(duì)環(huán)境友好能源的需求,新型能源儲(chǔ)能材料的研究成為了當(dāng)前的熱門(mén)領(lǐng)域之一。在開(kāi)發(fā)新一代的儲(chǔ)能新材料時(shí),對(duì)其性能的測(cè)試與分析是至關(guān)重要的一環(huán),儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可以通過(guò)各功能測(cè)試模塊,系統(tǒng)的幫組科研人員從能量密度、功率密度、循環(huán)壽命、安全性四個(gè)方面對(duì)新材料性能進(jìn)行分析檢測(cè),評(píng)估材料的性能指標(biāo),判斷是否符合應(yīng)用要求。


        系統(tǒng)配置

        儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/電壓擊穿


        測(cè)試模塊

        01.電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))

        由能量密度可知,擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于介電常數(shù)對(duì)于材料能量密度的影響更為突出,獲得高能量密度對(duì)復(fù)合材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)提出了更高的要求。

        通過(guò)上位機(jī)系統(tǒng)控制高壓擊穿測(cè)試模塊,可以安全、便捷、準(zhǔn)確的對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗(yàn),測(cè)試出擊穿場(chǎng)強(qiáng)。甚至可以通過(guò)測(cè)試軟件設(shè)置直流輸出時(shí)間,以完成樣品的極化過(guò)程。

        02.高低頻介電頻譜、溫譜

        用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲(chǔ)能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量,同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。

        03.高溫絕緣電阻

        高精度的電壓輸出與電流測(cè)量,即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流,保障測(cè)試品質(zhì),適用與儲(chǔ)能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測(cè)。

        04.熱釋電測(cè)試

        不論是薄膜還是塊體形式的儲(chǔ)能材料,都可對(duì)其進(jìn)行熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量,材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。

        05.TSDC熱刺激極化電流

        熱刺激電流(TSC)是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運(yùn)輸特性的工具,同時(shí)也是研究熱點(diǎn)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運(yùn)動(dòng)的重要手段。諸如:分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等,通過(guò)TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)介電特性、

        06.充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試

        用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能,同目前常見(jiàn)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷釋放至高壓源上,而非釋放至負(fù)載上,也就是說(shuō),通過(guò)電滯回線測(cè)得的能量密度會(huì)大與樣品實(shí)際釋放的能量密度,不能正確評(píng)估儲(chǔ)能材料的正常放電性能。華測(cè)充放電測(cè)試具有專門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量,首先將測(cè)試材料充電到給定電壓,之后通過(guò)閉合高速MOS高壓開(kāi)關(guān),將存儲(chǔ)在儲(chǔ)能材料中的能量釋放到電阻器負(fù)載中,更符合電介質(zhì)充放電原理。

        07.電聲脈沖法空間電荷測(cè)量

        空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)所導(dǎo)致的,在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積,從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)。空間電荷的存在對(duì)材料的電學(xué)性能有著重要的影響,可能導(dǎo)致電場(chǎng)畸變、絕緣性能下降等問(wèn)題。

        電聲脈沖法(PEA)空間電荷測(cè)試可以便捷準(zhǔn)確地測(cè)量固體儲(chǔ)能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測(cè)量較厚的介質(zhì),可以在帶電狀態(tài)下直接測(cè)量絕緣測(cè)試樣品中的空間電荷分布,最小可測(cè)空間電荷密度為4μC·cm-3,最小可測(cè)試樣厚度為0.2mm

        08.靜電電壓

        靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷,雖然其總電荷量不大,但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對(duì)周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對(duì)儲(chǔ)能材料的靜電性能(包括面電荷密度與電阻)進(jìn)行測(cè)試,可以對(duì)后期防靜電工程設(shè)計(jì)和改善儲(chǔ)能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持,對(duì)周圍電路的靜電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。

        配置模塊

        功能

        測(cè)試儀表

        測(cè)試環(huán)境配件/夾具

        電壓擊穿(介電場(chǎng)強(qiáng))

        高壓電源

        變溫油浴槽

        溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

        高低頻介電溫譜

        阻抗分析儀

        高低溫冷熱臺(tái)

        溫度范圍:-185~600

        高溫近紅外爐

        溫度范圍:RT~1450

        高低溫環(huán)境箱

        溫度范圍:-185~450

        高溫絕緣電阻測(cè)試

        高阻計(jì)/源表

        高低溫冷熱臺(tái)

        溫度范圍:-185~600

        高溫近紅外爐

        溫度范圍:RT~1450

        高低溫環(huán)境箱

        溫度范圍:-185~450

        熱釋電測(cè)試

        高阻計(jì)/靜電計(jì)

        高低溫冷熱臺(tái)

        溫度范圍:-185~600

        高低溫環(huán)境箱

        溫度范圍:-185~450


        TSDC熱刺激電流測(cè)試

        高阻計(jì)/靜電計(jì)

        高低溫冷熱臺(tái)

        溫度范圍:-185~600

        高低溫環(huán)境箱

        溫度范圍:-185~450


        充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試

        充放電測(cè)試模塊

        變溫測(cè)試盒

        溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

        靜電電壓

        高阻計(jì)/靜電計(jì)

        靜電變溫測(cè)試罐

        溫度范圍:

        空間電荷測(cè)試

        示波器+高壓電源+功率放大器

        電聲脈沖法空間電荷測(cè)試夾具

        測(cè)試裝置

        拓展資料

        能量密度常用計(jì)算公式:


        式中:Uc為電容器的充電能量密度;Ud為電容器的實(shí)際放電能量密度;E為外加電場(chǎng);D為電位移;Dmax為最大電位移;Dr為剩余電位移;ε0為電介質(zhì)的真空介電常數(shù);εr為電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù);Eb為擊穿場(chǎng)強(qiáng);η為充放電效率。

        儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/電壓擊穿儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/電壓擊穿

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