高低溫真空探針臺(tái)/兼容I-V/C-V/R-F測(cè)試

產(chǎn)品型號(hào)：

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2025-12-17

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

高低溫真空探針臺(tái)/兼容I-V/C-V/R-F測(cè)試，溫度范圍77K-675K(液氮)；可應(yīng)用于真空及常規(guī)環(huán)境；chao高溫度分辨率；特殊客制低溫系統(tǒng)；具有穩(wěn)定性

產(chǎn)品特性Product characteristics

品牌	華測(cè)

Huace HT-11高低溫真空探針臺(tái)

特點(diǎn)/應(yīng)用

◆ 2至6英寸樣品臺(tái)

◆ 高真空腔體

◆ 防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品溫度均勻性更好

◆ 77K-675K高低溫環(huán)境

◆ 兼容IV/CV/RF測(cè)試

◆ 外置多探針臂，移動(dòng)行程大

◆ 經(jīng)濟(jì)實(shí)用，可無(wú)縫升級(jí)

極低溫測(cè)試:

因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

高溫?zé)o氧化測(cè)試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過(guò)度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

晶圓測(cè)試過(guò)程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調(diào)整探針的位置。

技術(shù)參數(shù)

腔體規(guī)格
樣品臺(tái)尺寸	2英寸/4英寸/6英寸
樣品固定	彈簧壓片
觀察窗口	2英寸/4英寸/6英寸
真空度	10-6torr
探針臂接口	4~6個(gè)探針臂接口
其他接口	電信接口、真空接口、光纖接口、冷源接口
制冷方式	液氮/液氦/制冷機(jī)
溫度范圍	77K到573K/4.5K到573K
溫控精度	0.1K/0.01K/0.001K
穩(wěn)定性	±1K/±0.1K/±0.01K外形
外形	880mm長(zhǎng)880mm寬600mm高/980mm長(zhǎng)980mm寬600mm高
重量	約20KG/30KG

光學(xué)系統(tǒng)
顯微鏡類(lèi)型	單筒顯微鏡/體式顯微鏡/金相顯微鏡
放大倍率	16X-200X/20X-4000X
移動(dòng)行程	水平360度旋轉(zhuǎn)，Z軸行程50.8mm
光源	外置LED環(huán)形光源/同軸光源
CCD	200萬(wàn)像素/500萬(wàn)像素/1200萬(wàn)像素

探針臂
X-Y-Z移動(dòng)行程	50mm50mm50mm
結(jié)構(gòu)	外置探針臂，真空波紋管結(jié)構(gòu)
移動(dòng)精度	10微米/1微米
線纜	同軸線/三軸線/射頻線
漏電精度	10pA/100fA/10fA
固定探針	彈簧固定/管狀固定
接頭類(lèi)型	BNC/三軸/香蕉頭/鱷魚(yú)夾/接線端子
頻率支持	DC-67GHZ
針尖直徑	0.5微米/1微米/2微米/5微米/10微米/20微米